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無機(jī)材料
       本研究研究了一種新型的、具有成本效益的二維MXene (Ti3C2Tx)填充聚偏氟乙烯(PVDF)聚合物納米復(fù)合材料，用于衰減電磁干擾(EMI)。當(dāng)填充量為22.55 vol%時(shí)，制備的納米復(fù)合材料在厚度為2 mm時(shí)的屏蔽效果為48.47±3.5 dB。導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的形成與微電容網(wǎng)絡(luò)的組裝保持了其高的EMI屏蔽性能。強(qiáng)共振解釋了吸收主導(dǎo)的EMI屏蔽機(jī)制，界面極化有利于入射電磁能量的損失。此外，MXene-PVDF納米復(fù)合材料在22.55 vol%填充量下的熱導(dǎo)率約為0.767±0.034 Wm-1K-1，說明大量入射電磁波主要被介電成分衰減。（本文鏈接：/Uploads/file/20230413/20230413154058_66432.docx）
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